企业简介
上海蓝宝光电材料有限公司是以民营资本为主体的高新技术企业，创建于2000年9月，注册资金12670万元人民币，专业从事GaN LED外延生长、芯片制备、照明应用领域的技术研发及产业化生产。
上海蓝宝光电材料有限公司的工商信息
- 310227000699295
- 913101176074215658
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2000年09月21日
- 周建华
- 28000.000000
- 2000年09月21日 至 2022年11月18日
- 松江区市场监管局
- 2000年09月21日
- 上海市松江区文俊路2号
- 开发、生产、销售光源材料及器件，光电材料领域内的“四技”服务，光源材料及器件的加工；从事货物及技术的进出口业务；金属材料、化工产品（除危险化学品、监控化学品、烟花爆竹、民用爆炸物品、易制毒化学品）的销售；照明工程，建筑智能化工程。自有房屋租赁。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
上海蓝宝光电材料有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 4744795 |  |
B | 2005-06-27 | 灯；照明器；聚光灯；照明器械及装置 | 查看详情 |
上海蓝宝光电材料有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN1889278A | 一种提高芯片亮度的方法 | 2007.01.03 | 本发明涉及一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片的电极与硅热沉芯片贴合，其特征在于，将倒装焊芯片的衬底表 |
| 2 | CN1889264A | 红绿蓝三芯片集成于硅芯片的方法 | 2007.01.03 | 本发明涉及一种红绿蓝三芯片集成于硅芯片的方法，其特征在于，将红绿蓝发光集成芯片采用粘合材料固晶于发光 |
| 3 | CN102769023A | 一种氮化镓系高压发光二极管及其制作方法 | 2012.11.07 | 本发明公开一种氮化镓系高压发光二极管，包括有若干发光单元，该发光单元形成于同一衬底上，发光单元之间由 |
| 4 | CN102479914A | 一种高效高压电极侧壁化键合式LED芯片及其制作方法 | 2012.05.30 | 本发明提供一种制作高效高压电极侧壁化键合式LED芯片的结构和方法，该结构包含至少一芯片和一底板，所述 |
| 5 | CN102479797A | 一种高散热混光型LED芯片及其制作方法 | 2012.05.30 | 本发明提供一种制作高散热混光型LED芯片的结构和方法，该结构包括一底板和在底板上设置不少于二个芯片。 |
| 6 | CN102479912A | 一种通孔式高散热LED芯片及其制作方法 | 2012.05.30 | 本发明提供一种制作通孔式高散热LED芯片的结构和方法，该结构包含至少一芯片和一底板，所述芯片包括衬底 |
| 7 | CN102479913A | 一种高效高压垂直通孔键合式LED芯片及其制作方法 | 2012.05.30 | 本发明提供一种制作高效高压垂直通孔键合式LED芯片的结构和方法，该结构包含至少一芯片和一底板，所述芯 |
| 8 | CN102456779A | 一种高散热LED芯片的制作方法 | 2012.05.16 | 本发明提供一种高散热LED芯片的制作方法，该方法包括设置衬底，该衬底具有第一表面和与该第一表面相反的 |
| 9 | CN202139293U | 一种金属有机物化学气相沉积设备的支柱 | 2012.02.08 | 本实用新型公开一种金属有机物化学气相沉积设备(MOCVD)的支柱，包括：支柱体(1)、设置在支柱体( |
| 10 | CN202116642U | 一种金属有机物化学气相沉积设备的水冷顶盖 | 2012.01.18 | 本实用新型涉及金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备中一种金属有机物化学气相沉积设备的水冷顶盖。其 |
| 11 | CN202116644U | 一种金属有机物化学气相沉积设备的加热器 | 2012.01.18 | 一种金属有机物化学气相沉积设备的加热器，主要包括：由内至外依次设置的内圈加热片(7)、第一中圈加热片 |
| 12 | CN202116645U | 一种金属有机物化学气相沉积设备的多区加热装置 | 2012.01.18 | 本实用新型公开一种金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备的多区加热装置，该多区加热装置主要包括石墨 |
| 13 | CN202103092U | 一种高效高压电极侧壁化键合式LED芯片 | 2012.01.04 | 本实用新型提供一种高效高压电极侧壁化键合式LED芯片的结构，该结构包含至少一芯片和一底板，所述芯片包 |
| 14 | CN202099382U | 一种金属有机物化学气相沉积设备的气体控制装置 | 2012.01.04 | 本实用新型公开一种金属有机物化学气相沉积设备的气体控制装置，该装置主要包括质量流量控制器MFC-1、 |
| 15 | CN202103093U | 一种高效高压垂直通孔键合式LED芯片 | 2012.01.04 | 本实用新型提供一种高效高压垂直通孔键合式LED芯片的结构，该结构包含至少一芯片和一底板，所述芯片包括 |
| 16 | CN202103094U | 一种通孔式高散热LED芯片 | 2012.01.04 | 本实用新型提供一种通孔式高散热LED芯片的结构，该结构包含至少一芯片和一底板，所述芯片包括衬底和生长 |
| 17 | CN202072764U | 一种金属有机物化学气相沉积设备放空压力控制装置 | 2011.12.14 | 本实用新型公开一种金属有机物化学气相沉积设备放空压力控制装置，该方法主要包括运行管线(1)、放空管线 |
| 18 | CN202004643U | 一种直流功率电源的并联控制装置 | 2011.10.05 | 本实用新型公开一种直流功率电源的并联控制装置，包括控制器(1)、信号转换器(2)、直流功率电源(3) |
| 19 | CN201993621U | 一种多扩展MOCVD人机界面的监控设备 | 2011.09.28 | 本实用新型公开了一种多扩展MOCVD人机界面的监控设备，包括两个或多个PC站、一个触摸屏操作站、以及 |
| 20 | CN201927632U | 一种LED芯片 | 2011.08.10 | 本实用新型涉及一种LED芯片，该LED芯片包括设置衬底，该衬底具有第一表面和与该第一表面相反的第二表 |
| 21 | CN201834966U | 一种金属有机物化学气相沉积设备的水冷夹层 | 2011.05.18 | 本实用新型为金属有机物化学气相沉积设备中在高温及真空状态下分隔Ⅲ族和Ⅴ族气体所用的水冷夹层。在本实用 |
| 22 | CN102005515A | 具有低温中间层的氮化镓系发光二极管 | 2011.04.06 | 本发明涉及一种具有低温中间层的氮化镓系发光二极管。其结构与现有的氮化镓系发光二极管的最主要差异是，在 |
| 23 | CN102005516A | LED芯片及其制作方法 | 2011.04.06 | 本发明提供有一种制作LED芯片的方法，该方法包括：设置衬底，该衬底具有第一表面和与该第一表面相反的第 |
| 24 | CN102005513A | 具有低温p型GaN层的氮化镓系发光二极管 | 2011.04.06 | 本发明涉及一种具有低温p型氮化镓层的氮化镓系发光二极管。其结构与现有的氮化镓系发光二极管的最主要差异 |
| 25 | CN102005514A | 采用纳米压印技术的Ⅲ族氮化物半导体发光装置 | 2011.04.06 | 本发明涉及一种采用纳米压印技术的III族氮化物半导体发光装置。本发明通过采用纳米压印技术制作的绝缘膜 |
| 26 | CN102005512A | 一种GaN基发光二极管及其制造方法 | 2011.04.06 | 一种GaN基发光二极管及其制造方法，其中，这种GaN基发光二极管的制造方法包括：在衬底上依次形成本征 |
| 27 | CN201766094U | 采用纳米压印技术的Ⅲ族氮化物半导体发光装置 | 2011.03.16 | 本实用新型涉及一种采用纳米压印技术的Ⅲ族氮化物半导体发光装置。本实用新型通过采用纳米压印技术制作的绝 |
| 28 | CN201766093U | 一种氮化镓系发光二极管 | 2011.03.16 | 本实用新型涉及一种氮化镓系发光二极管。其结构主要包括衬底材料、缓冲层、n型接触层、活性发光层、p型插 |
| 29 | CN201766092U | 具有低温中间层的氮化镓系发光二极管 | 2011.03.16 | 本实用新型涉及一种具有低温中间层的氮化镓系发光二极管。其结构与现有的氮化镓系发光二极管的最主要差异是 |
| 30 | CN301484009S | 半导体外延设备 | 2011.03.16 | 该外观设计专利为半导体外延设备。主要用于无尘室车间里的MOCVD(Metal-organic Che |
| 31 | CN201681962U | 一种新型氮化镓基发光二极管 | 2010.12.22 | 一种新型氮化镓基发光二极管，这种氮化镓基发光二极管具有结构：在衬底上依次形成本征氮化镓层、n型氮化镓 |
| 32 | CN101140962A | 一种提高芯片亮度的方法 | 2008.03.12 | 本发明涉及一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片的电极与硅热沉芯片贴合，其特征在于，将倒装焊芯片的出光表 |
| 33 | CN101140963A | 一种提高倒装焊芯片亮度的方法 | 2008.03.12 | 本发明涉及一种提高倒装焊芯片亮度的方法，其特征在于，将高反射率的金属镀在原来金属电路及吸光的金球上， |
| 34 | CN2852395Y | 一种集成于红绿蓝三芯片的硅芯片 | 2006.12.27 | 本实用新型涉及一种集成于红绿蓝三芯片的硅芯片，其特征在于，红光发光二极管芯片、蓝光发光二极管芯片、绿 |
| 35 | CN3582868D | 灯具(LED) | 2006.11.22 | |
| 36 | CN2833321Y | 一种LED灯具 | 2006.11.01 | 本实用新型涉及一种LED灯具，包括装配孔、上盖罩、灯底座、螺钉、LED灯珠、玻璃罩、电源输入输出线， |
| 37 | CN1220282C | GaN基多量子阱结构及采用该结构的发光二极管 | 2005.09.21 | 本发明公开一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管，该二极管的多量子阱结构包括：p型掺杂的AlGaN层；n |
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